IPT029N08N5ATMA1
Tillverkare Produktnummer:

IPT029N08N5ATMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPT029N08N5ATMA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

Inventarier:

12803084
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPT029N08N5ATMA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
52A (Ta), 169A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 108µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
168W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-HSOF-8-1
Paket / Fodral
8-PowerSFN
Grundläggande produktnummer
IPT029

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
2,000
Andra namn
SP001581494
IPT029N08N5ATMA1DKR
INFINFIPT029N08N5ATMA1
IPT029N08N5ATMA1CT
IPT029N08N5ATMA1-DG
IPT029N08N5ATMA1TR
2156-IPT029N08N5ATMA1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRFS7534-7PPBF

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

infineon-technologies

IRF7469TRPBF

MOSFET N-CH 40V 9A 8SO

infineon-technologies

IPI120N04S302AKSA1

MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3

infineon-technologies

IRF7526D1TRPBF

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8