Tillverkare Produktnummer:
IPSA70R900P7SAKMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPSA70R900P7SAKMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventarier:
4 Pcs Ny Original I Lager
12805467
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPSA70R900P7SAKMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Produktens status
Last Time Buy
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
700 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 60µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 400 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
211 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30.5W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO251-3
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
IPSA70
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
IPSA70R900P7S
SP001664790
2156-IPSA70R900P7SAKMA1
INFINFIPSA70R900P7SAKMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFSL3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A TO262
IPW60R075CPAFKSA1
AUTOMOTIVE
IRF7807D1PBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO