Tillverkare Produktnummer:
IPSA70R600P7SAKMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPSA70R600P7SAKMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43.1W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventarier:
13064124
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPSA70R600P7SAKMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Emballage
Tube
Status för delar
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
700 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 400 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
364 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
43.1W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO251-3
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
IPSA70
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
SP001664806
IPSA70R600P7S
IFEINFIPSA70R600P7SAKMA1
2156-IPSA70R600P7SAKMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPS70R600P7SAKMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
177
DEL NUMMER
IPS70R600P7SAKMA1-DG
ENHETSPRIS
0.27
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF1324SPBF
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
IRF7799L2TRPBF
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
IRF7413ZPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
