Tillverkare Produktnummer:
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPSA70R1K4P7SAKMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 22.7W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventarier:
12803190
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPSA70R1K4P7SAKMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Produktens status
Last Time Buy
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
700 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
4.7 nC @ 400 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
158 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
22.7W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO251-3
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
IPSA70
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,500
Andra namn
SP001664778
IFEINFIPSA70R1K4P7SAKMA1
IPSA70R1K4P7S
2156-IPSA70R1K4P7SAKMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFU4615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A IPAK
IRF7739L1TRPBF
MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
IRF8010SPBF
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK