Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPS70R2K0CEAKMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPS70R2K0CEAKMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventarier:
Förfrågan Online
12823532
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPS70R2K0CEAKMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
700 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
163 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
42W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO251-3-11
Paket / Fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Grundläggande produktnummer
IPS70R2
Datablad och dokument
Datablad
IPS70R2K0CE
Datasheets
IPS70R2K0CEAKMA1
HTML-Datasheet
IPS70R2K0CEAKMA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
2156-IPS70R2K0CEAKMA1-448
SP001471300
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPS70R1K4P7SAKMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
ENHETSPRIS
0.18
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF6626TR1PBF
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
IXFK240N25X3
MOSFET N-CH 250V 240A TO264
IRFTS9342TRPBF
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
IPU80R1K2P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3