IPS60R800CEAKMA1
Tillverkare Produktnummer:

IPS60R800CEAKMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPS60R800CEAKMA1-DG

Beskrivning:

CONSUMER
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 8.4A (Tj) 74W (Tc) Through Hole PG-TO251-3

Inventarier:

12858155
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPS60R800CEAKMA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Last Time Buy
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.4A (Tj)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
800mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 170µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
373 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
74W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO251-3
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
IPS60R800

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
1,500
Andra namn
2156-IPS60R800CEAKMA1-448
SP001471278

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
IPS70R600P7SAKMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
177
DEL NUMMER
IPS70R600P7SAKMA1-DG
ENHETSPRIS
0.27
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
onsemi

NTP75N03-6G

MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

onsemi

NVMFS5C468NLT3G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

onsemi

NTP18N06

MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB

onsemi

NVB072N65S3

MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3