Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IPS60R3K4CEAKMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPS60R3K4CEAKMA1-DG
Beskrivning:
CONSUMER
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 2.6A (Tj) Through Hole PG-TO251-3
Inventarier:
Förfrågan Online
12816756
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPS60R3K4CEAKMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ CE
Produktens status
Last Time Buy
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.6A (Tj)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
93 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO251-3
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
IPS60R3
Datablad och dokument
Datablad
IPx60R3K4CE
Datasheets
IPS60R3K4CEAKMA1
HTML-Datasheet
IPS60R3K4CEAKMA1-DG
Ytterligare information
Standard-paket
1,500
Andra namn
2156-IPS60R3K4CEAKMA1
SP001422886
ROCINFIPS60R3K4CEAKMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPS70R1K4P7SAKMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
ENHETSPRIS
0.18
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STD3NK60Z-1
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2900
DEL NUMMER
STD3NK60Z-1-DG
ENHETSPRIS
0.34
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TP0610K-T1
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
CSD17306Q5A
MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
CSD19533Q5AT
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
IRFR9120NCPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK