Tillverkare Produktnummer:
IPS60R2K1CEAKMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPS60R2K1CEAKMA1-DG
Beskrivning:
CONSUMER
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 3.7A (Tj) 38W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventarier:
12823155
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPS60R2K1CEAKMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.7A (Tj)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.1Ohm @ 760mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 60µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
38W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO251-3
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
IPS60R2
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,500
Andra namn
SP001471270
ROCINFIPS60R2K1CEAKMA1
2156-IPS60R2K1CEAKMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPU60R2K1CEAKMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IPU60R2K1CEAKMA1-DG
ENHETSPRIS
0.16
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STU5N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
831
DEL NUMMER
STU5N60M2-DG
ENHETSPRIS
0.47
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXKH70N60C5
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
BUK9880-55A,115
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
IRFU13N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 13A IPAK
