Tillverkare Produktnummer:
IPS075N03LGAKMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPS075N03LGAKMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 47W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventarier:
12803507
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPS075N03LGAKMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
47W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO251-3-11
Paket / Fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,500
Andra namn
INFINFIPS075N03LGAKMA1
IPS075N03L G
IPS075N03LG
IPS075N03L G-DG
SP000705726
2156-IPS075N03LGAKMA1-IT
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFH5250TR2PBF
MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
IRF3710LPBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO262
IRF1607
MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
