Tillverkare Produktnummer:
IPP90R500C3
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP90R500C3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
12804189
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP90R500C3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 740µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
156W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP90R
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
IFEINFIPP90R500C3
2156-IPP90R500C3-IT
SP000413746
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD60N10S412ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
IRF100P218XKMA1
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
IRFH4209DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
