Tillverkare Produktnummer:
IPP80R750P7XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP80R750P7XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 51W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
11 Pcs Ny Original I Lager
12806705
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP80R750P7XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
750mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 140µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 500 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
51W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP80R750
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
2156-IPP80R750P7XKSA1
IFEINFIPP80R750P7XKSA1
SP001644608
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXTP4N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
232
DEL NUMMER
IXTP4N65X2-DG
ENHETSPRIS
1.12
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFHM8235TRPBF
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
IRLR3714TRLPBF
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
IRFH5010TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
