Tillverkare Produktnummer:
IPP80P04P405AKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP80P04P405AKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
12803662
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP80P04P405AKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP80P
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
SP000652622
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF7832ZTR
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
IRF7433PBF
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO
IPL65R210CFDAUMA2
MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
