Tillverkare Produktnummer:
IPP80P03P4L04AKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP80P03P4L04AKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
12804426
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP80P03P4L04AKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 253µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max)
+5V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
137W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP80P03
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
IPP80P03P4L04AKSA1-DG
448-IPP80P03P4L04AKSA1
IPP80P03P4L-04
SP000396390
IPP80P03P4L-04-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFZ44VS
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
IPU135N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
IRF7460TRPBF
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
