Tillverkare Produktnummer:
IPP80N06S2L09AKSA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP80N06S2L09AKSA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
12805219
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP80N06S2L09AKSA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 125µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2620 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
190W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP80N
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
INFINFIPP80N06S2L09AKSA2
SP001061718
2156-IPP80N06S2L09AKSA2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP80NF55-08
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
48
DEL NUMMER
STP80NF55-08-DG
ENHETSPRIS
1.25
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IPP80N06S2L07AKSA2
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
204
DEL NUMMER
IPP80N06S2L07AKSA2-DG
ENHETSPRIS
1.98
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRL3705NS
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
IRFR3303TRR
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IRF7832Z
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
