Tillverkare Produktnummer:
IPP80N06S209AKSA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP80N06S209AKSA2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
12806231
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP80N06S209AKSA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
9.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 125µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2360 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
190W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP80N06
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
IFEINFIPP80N06S209AKSA2
2156-IPP80N06S209AKSA2
SP001061400
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
AOT2610L
Tillverkare
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
AOT2610L-DG
ENHETSPRIS
0.59
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP75NF75
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1998
DEL NUMMER
STP75NF75-DG
ENHETSPRIS
1.10
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRLZ34NSPBF
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
IRFB7734PBF
MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB
IRFS4127PBF
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK