Tillverkare Produktnummer:
IPP80N06S207AKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP80N06S207AKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
12806651
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP80N06S207AKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
6.6mOhm @ 68A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 180µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP80N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
IPP80N06S2-07
SP000218810
IPP80N06S2-07-DG
2156-IPP80N06S207AKSA1
INFINFIPP80N06S207AKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXTP120N075T2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
44
DEL NUMMER
IXTP120N075T2-DG
ENHETSPRIS
1.69
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP80NF55-06
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
999
DEL NUMMER
STP80NF55-06-DG
ENHETSPRIS
1.54
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SPP20N60S5XKSA1
HIGH POWER_LEGACY
IRLR3303PBF
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
IRLMS2002TR
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
