Tillverkare Produktnummer:
IPP77N06S3-09
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP77N06S3-09-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 77A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
12804295
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP77N06S3-09 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
77A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
9.1mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 55µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5335 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
107W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP77N
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
IFEINFIPP77N06S3-09
IPP77N06S3-09IN
SP000088717
2156-IPP77N06S3-09-IT
IPP77N06S3-09-DG
IPP77N06S309X
IPP77N06S309XK
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
DMNH6008SCT
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
DMNH6008SCT-DG
ENHETSPRIS
1.18
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB041N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
IRF1010ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRLIZ34N
MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP
