Tillverkare Produktnummer:
IPP65R660CFDAAKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP65R660CFDAAKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
12805071
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP65R660CFDAAKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
543 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
62.5W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP65R
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
SP000875802
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP12NK80Z
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
707
DEL NUMMER
STP12NK80Z-DG
ENHETSPRIS
1.56
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP11N65M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1996
DEL NUMMER
STP11N65M2-DG
ENHETSPRIS
0.67
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFU4510PBF
MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
IRFR3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
IRFS3307ZTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
