Tillverkare Produktnummer:
IPP65R225C7XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP65R225C7XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
12805018
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP65R225C7XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™ C7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
225mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
996 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
63W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP65R225
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
ROCINFIPP65R225C7XKSA1
SP000929432
2156-IPP65R225C7XKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP20NM60FD
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
773
DEL NUMMER
STP20NM60FD-DG
ENHETSPRIS
3.16
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFZ48VPBF
MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB
IPAW60R360P7SE8228XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
IRF3205LPBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO262
