Tillverkare Produktnummer:
IPP60R230P6XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP60R230P6XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 16.8A (Tc) 126W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
12803994
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP60R230P6XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™ P6
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16.8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
230mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 530µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1450 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
126W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP60R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
SP001017064
INFINFIPP60R230P6XKSA1
2156-IPP60R230P6XKSA1
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPP60R180P7XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IPP60R180P7XKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.05
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFR9120NTRL
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
IRFR3911TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 14A DPAK
IRF7807D1
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
