Tillverkare Produktnummer:
IPP600N25N3GXKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP600N25N3GXKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
647 Pcs Ny Original I Lager
12802896
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP600N25N3GXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
136W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP600
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
IPP600N25N3GXKSA1-DG
IPP600N25N3G
448-IPP600N25N3GXKSA1
IPP600N25N3 G
IPP600N25N3 G-DG
SP000677832
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF8306MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
IPD65R380C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPI80N06S207AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3