Tillverkare Produktnummer:
IPP50R299CPHKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP50R299CPHKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
12801212
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP50R299CPHKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
550 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1190 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
104W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP50R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
SP000236070
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP12N50M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
850
DEL NUMMER
STP12N50M2-DG
ENHETSPRIS
0.64
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IXFP20N50P3M
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
57
DEL NUMMER
IXFP20N50P3M-DG
ENHETSPRIS
2.12
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
IPI90R500C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
BSP613P
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4