IPP410N30NAKSA1
Tillverkare Produktnummer:

IPP410N30NAKSA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPP410N30NAKSA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 300 V 44A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Inventarier:

488 Pcs Ny Original I Lager
12802610
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPP410N30NAKSA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
300 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
41mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7180 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP410

Datablad och dokument

Datablad
IPP410N30N
Datasheets
IPP410N30NAKSA1
HTML-Datasheet
IPP410N30NAKSA1-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
SP001082134
IPP410N30NAKSA1-DG
448-IPP410N30NAKSA1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPA95R750P7XKSA1

MOSFET N-CH 950V 9A TO220

infineon-technologies

IRF3710SPBF

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

infineon-technologies

AUIRLR3636

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

infineon-technologies

BSO065N03MSGXUMA1

MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO