IPP330P10NMAKSA1
Tillverkare Produktnummer:

IPP330P10NMAKSA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPP330P10NMAKSA1-DG

Beskrivning:

TRENCH >=100V PG-TO220-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 100 V 6.9A (Ta), 62A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Inventarier:

438 Pcs Ny Original I Lager
12973589
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPP330P10NMAKSA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.9A (Ta), 62A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
33mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.55mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP330P

Datablad och dokument

Datablad
IPP330P10NM
Datasheets
IPP330P10NMAKSA1
HTML-Datasheet
IPP330P10NMAKSA1-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
SP005343871
448-IPP330P10NMAKSA1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
panjit

PJQ4407P_R1_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

micro-commercial-components

MCAC75N02-TP

MOSFET N-CH DFN5060

rohm-semi

RV5C040APTCR1

MOSFET P-CH 20V 4A DFN1616-6

infineon-technologies

ISC230N10NM6ATMA1

TRENCH >=100V PG-TDSON-9