Tillverkare Produktnummer:
IPP25N06S3L-22
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP25N06S3L-22-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 55V 25A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 25A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
12803735
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP25N06S3L-22 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
21.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 20µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2260 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP25N
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
IPP25N06S3L22XK
IPP25N06S3L-22-DG
IPP25N06S3L-22IN
IFEINFIPP25N06S3L-22
2156-IPP25N06S3L-22-IT
IPP25N06S3L22X
SP000087993
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFH8337TRPBF
MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
IRFR3410PBF
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
IRF7451PBF
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
