Tillverkare Produktnummer:
IPP083N10N5AKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP083N10N5AKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 73A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
12804726
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP083N10N5AKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
73A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.3mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 49µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2730 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
100W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP083
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
2156-IPP083N10N5AKSA1
SP001226036
IFEINFIPP083N10N5AKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SUP70090E-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
370
DEL NUMMER
SUP70090E-GE3-DG
ENHETSPRIS
1.27
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF7240PBF
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
IRF7805ATR
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
IPC60R600E6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
