Tillverkare Produktnummer:
IPP041N04NGXKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP041N04NGXKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
531 Pcs Ny Original I Lager
12803696
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP041N04NGXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 45µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
94W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP041
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SP000680790
IPP041N04N G-DG
2156-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NGXKSA1-DG
IPP041N04N G
448-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD50N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPD25CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
IRF2907ZPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
