Tillverkare Produktnummer:
IPP039N10N5AKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP039N10N5AKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
12803689
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP039N10N5AKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 125µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7000 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
188W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP039
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SP001602186
IFEINFIPP039N10N5AKSA1
2156-IPP039N10N5AKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP150N10F7
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
494
DEL NUMMER
STP150N10F7-DG
ENHETSPRIS
1.23
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
SUP70040E-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
460
DEL NUMMER
SUP70040E-GE3-DG
ENHETSPRIS
1.28
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFZ24NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
IRF3711
MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
IRFR3504ZTR
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
