IPP034NE7N3GXKSA1
Tillverkare Produktnummer:

IPP034NE7N3GXKSA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPP034NE7N3GXKSA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Inventarier:

1425 Pcs Ny Original I Lager
13064207
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPP034NE7N3GXKSA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Emballage
Tube
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
75 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 155µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8130 pF @ 37.5 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
214W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP034

Datablad och dokument

Datablad
IPP034NE7N3G

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
IPP034NE7N3G
SP000641724
INFINFIPP034NE7N3GXKSA1
IPP034NE7N3 G
IPP034NE7N3 G-ND
2156-IPP034NE7N3GXKSA1

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRF530NSTRRPBF

MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

infineon-technologies

IRLR3303TRPBF

MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

infineon-technologies

IRFP9140NPBF

MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC

infineon-technologies

IRF7475PBF

MOSFET N-CH 12V 11A 8SO