Tillverkare Produktnummer:
IPP030N10N5AKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP030N10N5AKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
12801612
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
PiEo
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP030N10N5AKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 184µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP030
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
INFINFIPP030N10N5AKSA1
2156-IPP030N10N5AKSA1
SP001227032
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK100E10N1,S1X
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4370
DEL NUMMER
TK100E10N1,S1X-DG
ENHETSPRIS
1.66
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FDP86363-F085
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
176
DEL NUMMER
FDP86363-F085-DG
ENHETSPRIS
2.14
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSR316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
64-2096PBF
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
IPB12CN10NGATMA2
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
