Tillverkare Produktnummer:
IPP016N08NF2SAKMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP016N08NF2SAKMA1-DG
Beskrivning:
TRENCH 40<-<100V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 35A (Ta), 196A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
591 Pcs Ny Original I Lager
12951054
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP016N08NF2SAKMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
StrongIRFET™ 2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Ta), 196A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 267µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12000 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IPP016N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
448-IPP016N08NF2SAKMA1
2156-IPP016N08NF2SAKMA1
SP005548844
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP129N10NF2SAKMA1
TRENCH >=100V
IPP019N08NF2SAKMA1
TRENCH 40<-<100V
ZXMN20B28KTC
MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
