Tillverkare Produktnummer:
IPP014N06NF2SAKMA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP014N06NF2SAKMA2-DG
Beskrivning:
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 39A (Ta), 198A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-U05
Inventarier:
289 Pcs Ny Original I Lager
13001125
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPP014N06NF2SAKMA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
StrongIRFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
39A (Ta), 198A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 246µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-U05
Paket / Fodral
TO-220-3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SP005742469
448-IPP014N06NF2SAKMA2
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
R6020YNZ4C13
NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
RQ6P020ATTCR
PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
RX3P12BATC16
PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
