Tillverkare Produktnummer:
IPN95R3K7P7ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPN95R3K7P7ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 950 V 2A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventarier:
13762 Pcs Ny Original I Lager
12802721
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPN95R3K7P7ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
950 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.7Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
196 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
6W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT223
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
IPN95R3
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
IPN95R3K7P7ATMA1CT
IPN95R3K7P7ATMA1TR
SP001792330
IPN95R3K7P7ATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSC010N04LSTATMA1
MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
IRFR024NTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF3315PBF
MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
