IPN60R600PFD7SATMA1
Tillverkare Produktnummer:

IPN60R600PFD7SATMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPN60R600PFD7SATMA1-DG

Beskrivning:

CONSUMER PG-SOT223-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4

Inventarier:

Förfrågan Online
12965044
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPN60R600PFD7SATMA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ PFD7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 80µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
344 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
7W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT223-4
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
IPN60R

Datablad och dokument

Datablad
IPN60R600PFD7S
Datasheets
IPN60R600PFD7SATMA1
HTML-Datasheet
IPN60R600PFD7SATMA1-DG

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
448-IPN60R600PFD7SATMA1DKR
448-IPN60R600PFD7SATMA1TR
SP005353997
448-IPN60R600PFD7SATMA1CT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

TK370A60F,S4X(S

MOSFET N-CH

panjit

PJA3416AE_R1_00001

SOT-23, MOSFET

panjit

BSS123_R1_00001

SOT-23, MOSFET

panjit

PJA3430_R1_00001

SOT-23, MOSFET