Tillverkare Produktnummer:
IPL65R130C7AUMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPL65R130C7AUMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 102W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventarier:
12810096
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPL65R130C7AUMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ C7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
130mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 440µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
102W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-VSON-4
Paket / Fodral
4-PowerTSFN
Grundläggande produktnummer
IPL65R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
IPL65R130C7AUMA1TR
IPL65R130C7AUMA1CT
SP001032724
IPL65R130C7AUMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD60R3K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
BUK754R7-60E,127
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
BUK9610-55A,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
