Tillverkare Produktnummer:
IPI120N08S403AKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPI120N08S403AKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventarier:
12800531
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPI120N08S403AKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 223µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11550 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
278W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO262-3-1
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IPI120
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
2156-IPI120N08S403AKSA1
SP000989108
INFINFIPI120N08S403AKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IAUA180N08S5N026AUMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1570
DEL NUMMER
IAUA180N08S5N026AUMA1-DG
ENHETSPRIS
1.25
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPA60R280CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
IPC60R280P7X7SA1
MOSFET N-CH DIE
IPA180N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
