Tillverkare Produktnummer:
IPI045N10N3GXKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPI045N10N3GXKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventarier:
894 Pcs Ny Original I Lager
13064090
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPI045N10N3GXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Emballage
Tube
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8410 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
214W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO262-3
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IPI045
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
IFEINFIPI045N10N3GXKSA1
SP000683068
IPI045N10N3 G-ND
2156-IPI045N10N3GXKSA1
IPI045N10N3G
IPI045N10N3 G
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB08CN10N G
MOSFET N-CH 100V 95A D2PAK
IPW90R120C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
IRF5305L
MOSFET P-CH 55V 31A TO262
