IPI045N10N3GXKSA1
Tillverkare Produktnummer:

IPI045N10N3GXKSA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPI045N10N3GXKSA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Inventarier:

894 Pcs Ny Original I Lager
13064090
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPI045N10N3GXKSA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
OptiMOS™
Emballage
Tube
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8410 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
214W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO262-3
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IPI045

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
IFEINFIPI045N10N3GXKSA1
SP000683068
IPI045N10N3 G-ND
2156-IPI045N10N3GXKSA1
IPI045N10N3G
IPI045N10N3 G

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

IPB08CN10N G

MOSFET N-CH 100V 95A D2PAK

infineon-technologies

IPW90R120C3XKSA1

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3

infineon-technologies

IRF5305L

MOSFET P-CH 55V 31A TO262

infineon-technologies

IRF7459PBF

MOSFET N-CH 20V 12A 8SO