Tillverkare Produktnummer:
IPG20N06S2L65AATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPG20N06S2L65AATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 55V 20A 43W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Inventarier:
13998 Pcs Ny Original I Lager
12800924
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPG20N06S2L65AATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A
rds på (max) @ id, vgs
65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 14µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
410pF @ 25V
Effekt - Max
43W
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-10
Grundläggande produktnummer
IPG20N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
IPG20N06S2L65AATMA1DKR
SP001023844
IFEINFIPG20N06S2L65AATMA1
IPG20N06S2L65AATMA1CT
IPG20N06S2L65AATMA1-DG
IPG20N06S2L65AATMA1TR
2156-IPG20N06S2L65AATMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FF23MR12W1M1B11BOMA1
SIC 2N-CH 1200V 50A MODULE
IPG20N06S415ATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
IPG20N06S2L65ATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON