Tillverkare Produktnummer:
IPG20N04S408BATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPG20N04S408BATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 40V 20A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Inventarier:
5000 Pcs Ny Original I Lager
12989489
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPG20N04S408BATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™-T2
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
7.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 30µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2940pF @ 25V
Effekt - Max
65W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-10
Grundläggande produktnummer
IPG20N
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
SP001004282
448-IPG20N04S408BATMA1DKR
448-IPG20N04S408BATMA1CT
448-IPG20N04S408BATMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
MSCSM120VR1M11CT6AG
SIC 2N-CH 1200V 251A
MSCSM70VR1M03CT6AG
SIC 2N-CH 700V 585A
NTMFD0D9N02P1E
MOSFET 2N-CH 30V/25V 14A 8PQFN
