Tillverkare Produktnummer:
IPF015N10N5ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPF015N10N5ATMA1-DG
Beskrivning:
TRENCH >=100V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 35A (Ta), 276A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-1
Inventarier:
630 Pcs Ny Original I Lager
12991537
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPF015N10N5ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Ta), 276A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.53mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 279µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
16000 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-7-1
Paket / Fodral
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Grundläggande produktnummer
IPF015
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
448-IPF015N10N5ATMA1DKR
SP005736730
448-IPF015N10N5ATMA1TR
448-IPF015N10N5ATMA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IAUTN12S5N018GATMA1
MOSFET_(120V 300V)
MSJPF20N65A-BP
N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
IGOT60R070D1E8237AUMA1
GAN HV
