Tillverkare Produktnummer:
IPD95R750P7ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD95R750P7ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 950 V 9A (Tc) 73W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventarier:
2020 Pcs Ny Original I Lager
12804354
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD95R750P7ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
950 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
750mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
712 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
73W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD95R750
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SP001792316
IPD95R750P7ATMA1CT
IPD95R750P7ATMA1TR
IPD95R750P7ATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFB4233PBF
MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB
IPI80N06S208AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPD90P03P404ATMA1
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
