Tillverkare Produktnummer:
IPD90P04P4L04ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD90P04P4L04ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 40 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventarier:
12803794
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD90P04P4L04ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
176 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11570 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-313
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD90
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD90P04P4L04ATMA1DKR
IPD90P04P4L04ATMA1TR
IPD90P04P4L04ATMA1CT
SP000840194
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPD90P04P4L04ATMA2
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
13599
DEL NUMMER
IPD90P04P4L04ATMA2-DG
ENHETSPRIS
1.05
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB80N06S2L06ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRF6636
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
IPD60R600E6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
