Tillverkare Produktnummer:
IPD90N03S4L02ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD90N03S4L02ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventarier:
52331 Pcs Ny Original I Lager
12803750
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD90N03S4L02ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9750 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
136W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-11
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD90
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD90N03S4L-02
IPD90N03S4L-02DKR-DG
IPD90N03S4L02ATMA1CT
IPD90N03S4L-02TR-DG
IPD90N03S4L-02CT-DG
INFINFIPD90N03S4L02ATMA1
SP000273284
IPD90N03S4L-02-DG
IPD90N03S4L02ATMA1TR
IPD90N03S4L-02TR
IPD90N03S4L02
IPD90N03S4L-02CT
IPD90N03S4L-02DKR
IPD90N03S4L02ATMA1DKR
2156-IPD90N03S4L02ATMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB80N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
IRFS7534TRL7PP
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
IPD180N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
