Tillverkare Produktnummer:
IPD80R2K8CEATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD80R2K8CEATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventarier:
4870 Pcs Ny Original I Lager
12803536
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD80R2K8CEATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 120µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
42W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD80R2
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
INFINFIPD80R2K8CEATMA1
SP001130970
IPD80R2K8CEATMA1-DG
2156-IPD80R2K8CEATMA1
IPD80R2K8CEATMA1CT
IPD80R2K8CEATMA1DKR
IPD80R2K8CEATMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP041N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
IRFR3303TR
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
