Tillverkare Produktnummer:
IPD65R600E6ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD65R600E6ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventarier:
12803043
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD65R600E6ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™ E6
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
63W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD65R600
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SP001117096
2156-IPD65R600E6ATMA1
ROCINFIPD65R600E6ATMA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STD11N60DM2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1905
DEL NUMMER
STD11N60DM2-DG
ENHETSPRIS
0.67
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IPD70R600P7SAUMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
12894
DEL NUMMER
IPD70R600P7SAUMA1-DG
ENHETSPRIS
0.26
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF7477
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPA65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
IRF9530NS
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
