Tillverkare Produktnummer:
IPD60R800CEAUMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD60R800CEAUMA1-DG
Beskrivning:
CONSUMER
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 8.4A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
Inventarier:
2503 Pcs Ny Original I Lager
12804614
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD60R800CEAUMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
800mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 170µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
373 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
74W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-344
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD60R
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
448-IPD60R800CEAUMA1CT
2156-IPD60R800CEAUMA1
ROCINFIPD60R800CEAUMA1
IPD60R800CEAUMA1-DG
SP001396890
448-IPD60R800CEAUMA1DKR
448-IPD60R800CEAUMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP70N04S406AKSA1
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1
IRF7524D1TRPBF
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
IPD042P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
