Tillverkare Produktnummer:
IPD60R600PFD7SAUMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD60R600PFD7SAUMA1-DG
Beskrivning:
CONSUMER PG-TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventarier:
4709 Pcs Ny Original I Lager
12965564
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD60R600PFD7SAUMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ PFD7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 80µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
344 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
31W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD60R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
448-IPD60R600PFD7SAUMA1CT
448-IPD60R600PFD7SAUMA1TR
SP005353996
448-IPD60R600PFD7SAUMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PSMN3R5-80YSFX
NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
SI7117DN-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
SI3473DDV-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
