Tillverkare Produktnummer:
IPD60R600P7SE8228AUMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD60R600P7SE8228AUMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventarier:
2486 Pcs Ny Original I Lager
12851276
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD60R600P7SE8228AUMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
363 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD60R
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SP002367810
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1DKR
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1CT
IPD60R600P7SE8228AUMA1-DG
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPD60R600P7SAUMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
9704
DEL NUMMER
IPD60R600P7SAUMA1-DG
ENHETSPRIS
0.25
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDC654P
MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
R6511ENJTL
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
IAUS300N08S5N012ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
