Tillverkare Produktnummer:
IPD60R400CEAUMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD60R400CEAUMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 14.7A (Tc) 112W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
Inventarier:
14883 Pcs Ny Original I Lager
12800875
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD60R400CEAUMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14.7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 300µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
112W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-2
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD60R
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD60R400CEAUMA1-DG
2156-IPD60R400CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1DKR
IPD60R400CEAUMA1CT
IPD60R400CEAUMA1TR
INFINFIPD60R400CEAUMA1
SP001396880
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD06P002NATMA1
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
IPP030N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
IPL60R2K1C6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
