Tillverkare Produktnummer:
IPD60N10S4L12ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD60N10S4L12ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventarier:
71745 Pcs Ny Original I Lager
12800829
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPD60N10S4L12ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 46µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3170 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
94W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3-313
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
IPD60N10
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
IPD60N10S4L12ATMA1DKR
SP000866550
IPD60N10S4L12ATMA1TR
IPD60N10S4L12ATMA1-DG
IPD60N10S4L12ATMA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPB80N06S2L09ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB64N25S320ATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
IPFH6N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
